Электрондук компоненттер IC чиптери интегралдык микросхемалар IC TPS74701QDRCRQ1 бир жерден сатып алуу

Вафли менен чиптердин ортосундагы байланыш

Вафлиге сереп салуу

Вафли менен чиптердин ортосундагы мамилени түшүнүү үчүн төмөндөгүлөр вафли жана чип билиминин негизги элементтерине сереп салуу болуп саналат.

(i) Вафли деген эмне

Вафли – кремний жарым өткөргүчтүү интегралдык схемаларды өндүрүүдө колдонулуучу кремний пластиналары, тегерек формасына байланыштуу пластиналар деп аталат;аларды кремний пластинкаларында иштетип, схеманын ар кандай компоненттерин түзсө болот жана белгилүү бир электрдик функциялары бар интегралдык микросхемалардын продуктыларына айланат.Вафли учун сырьё — кремний, жер кыртышынын бетинде кремний диоксидинин түгөнгүс запасы бар.Кремнийдин диоксидинин рудасы электр дуга мештеринде тазаланат, туз кислотасы менен хлорланат жана тазалыгы 99,9999999999% болгон жогорку тазалыктагы полисиликийди алуу үчүн дистилденет.

(ii) пластиналар үчүн негизги сырье

Кремний кварц кумунан тазаланат жана пластиналар кремний элементинен тазаланат (99,999%), андан кийин интегралдык микросхемалар үчүн кварц жарым өткөргүчтөрү үчүн материал болуп саналган кремний таякчалары жасалат.

(iii) Вафли өндүрүш процесси

Вафли жарым өткөргүч микросхемаларды өндүрүү үчүн негизги материал болуп саналат.Жарым өткөргүчтүү интегралдык микросхемалар үчүн эң маанилүү чийки зат кремний болуп саналат, ошондуктан кремний пластинкаларына туура келет.

Кремний табиятта силикаттар же кремний диоксиди түрүндө таштарда жана шагылдарда кеңири кездешет.Кремний пластинкаларын өндүрүүнү үч негизги этап менен жалпылоого болот: кремнийди тазалоо жана тазалоо, кремнийдин монокристаллдык өсүшү жана пластинка түзүү.

Биринчиси – кремний тазалоо, мында кум жана шагыл чийки заты 2000°Сге жакын температурада жана көмүртек булагынын катышуусунда электр дуга мешине салынат.Жогорку температурада кумдагы жана шагылдагы көмүртек жана кремний диоксиди химиялык реакцияга (көмүртек кычкылтек менен биригип, кремнийди калтырат) 98%га жакын таза кремнийди алуу үчүн, ошондой эле металлургиялык класстагы кремний деп аталат. микроэлектрондук приборлор үчүн жетиштүү таза, анткени жарым өткөргүч материалдардын электрдик касиеттери аралашмалардын концентрациясына өтө сезгич.Демек, металлургиялык класстагы кремний андан ары тазаланат: майдаланган металлургиялык класстагы кремний газ түрүндөгү суутек хлориди менен хлордоо реакциясына дуушар болуп, суюк силан алынат, андан кийин дистилденет жана 99999999999999999 тазалыгы менен жогорку тазалыктагы поликристаллдуу кремнийди алуу процесси аркылуу химиялык жактан азайтылат. %, ал электрондук класстагы кремнийге айланат.

Андан кийин монокристаллдык кремний өсүүсү келет, эң кеңири таралган ыкма түз тартуу (CZ ыкмасы).Төмөнкү диаграммада көрсөтүлгөндөй, жогорку тазалыктагы полисилиций кварц тигельге салынып, температурасын болжол менен 1400 °C кармап, сыртын курчап турган графит жылыткычы менен тынымсыз жылытылат.Мештеги газ, адатта, инерттүү болуп, полиссиликондун керексиз химиялык реакцияларды жаратпастан эрүүсүнө мүмкүндүк берет.Монокристаллдарды пайда кылуу үчүн кристаллдардын багыты да көзөмөлдөнөт: тигель полисиликон эритмеси менен айландырылат, ага урук кристалл чөмүлдүрүлөт жана тартма таякча тескери багытта ташылып, акырын жана вертикалдуу түрдө жогору карай тартылат. кремний эритмеси.Эриген полисиликон урук кристаллынын түбүнө жабышып, урук кристаллынын торчо тизилиши багытында өйдө карай өсөт.