Жарым өткөргүчтөр электрондук компоненттери TPS7A5201QRGRRQ1 Ic чиптери BOM кызматы Бир жерде сатып алуу

Чиптерге сереп салуу

(i) Чип деген эмне

IC катары кыскартылган интегралдык микросхема;же микросхема, микрочип, чип электроникада схемаларды (негизинен жарым өткөргүч түзүлүштөрдү, ошондой эле пассивдүү компоненттерди ж. б.) кичирейтүүнүн жолу болуп саналат жана көбүнчө жарым өткөргүч пластинкалардын бетинде даярдалат.

(ii) Чипти өндүрүү процесси

Толук чип даярдоо процесси чиптин дизайнын, пластинаны даярдоону, пакетти даярдоону жана сыноону камтыйт, алардын арасында вафли даярдоо процесси өзгөчө татаал.

Биринчиден, чип дизайны, дизайн талаптарына ылайык, түзүлгөн "үлгү", чиптин чийки заты пластинка болуп саналат.

Вафли кварц кумунан тазаланган кремнийден жасалган.Вафли тазаланган кремний элементи (99,999%), андан кийин таза кремнийден кремний таякчалары жасалат, алар интегралдык микросхемалар үчүн кварц жарым өткөргүчтөрүн өндүрүү үчүн материал болуп калат, алар чип өндүрүү үчүн пластинкаларга кесилет.Вафли канчалык ичке болсо, өндүрүштүн баасы ошончолук төмөн болот, бирок процесс ошончолук көп талап кылынат.

Вафли каптоо

Wafer каптоо кычкылданууга жана температурага туруктуу болуп саналат жана photoresist бир түрү болуп саналат.

Вафли фотолитографиясын иштеп чыгуу жана оюу

Фотолитография процессинин негизги агымы төмөндөгү диаграммада көрсөтүлгөн.Биринчиден, вафлидин (же субстраттын) бетине фоторезисттин катмары колдонулат жана кургатылат.Кургатылгандан кийин вафли литографиялык машинага өткөрүлөт.Жарык масканын үстүндөгү үлгүнү пластинка бетиндеги фоторезистке проекциялоо үчүн маска аркылуу өтүп, экспозицияны камсыз кылат жана фотохимиялык реакцияны стимулдайт.Ачык калган вафлилер андан кийин экинчи жолу бышырылат, бул фотохимиялык реакция толугураак болгон экспозициядан кийинки бышыруу деп аталат.Акырында, иштеп чыгуучу ачык үлгүнү иштеп чыгуу үчүн пластинка бетиндеги фоторезистке чачылат.Иштеп чыккандан кийин, маскадагы үлгү фоторезистте калат.

Желимдөө, бышыруу жана иштеп чыгуу бардыгы стяжды иштеп чыгуучуда, ал эми экспозиция фотолитографта жасалат.Стяжка иштеп чыгуучу жана литографиялык машина жалпысынан сапта иштетилет, пластиналар роботтун жардамы менен агрегаттар менен машинанын ортосунда өткөрүлөт.Бардык экспозиция жана иштеп чыгуу системасы жабык жана чөйрөдөгү зыяндуу компоненттердин фоторезист жана фотохимиялык реакцияларга таасирин азайтуу үчүн пластинкаларды курчап турган чөйрөгө түздөн-түз тийгизбейт.

Кошумчалар менен допинг

Тиешелүү P жана N тибиндеги жарым өткөргүчтөрдү алуу үчүн пластинкага иондорду имплантациялоо.

Вафель тести

Жогорудагы процесстерден кийин вафлиде сөөктөрдүн торчосу пайда болот.Ар бир калыптын электрдик мүнөздөмөлөрү пин тесттин жардамы менен текшерилет.

Таңгактоо

Өндүрүлгөн пластиналар бекитилет, төөнөгүчтөр менен байланат жана талаптарга ылайык ар кандай пакеттерге салынат, ошондуктан бир эле чип өзөгүн ар кандай жолдор менен таңгактоого болот.Мисалы, DIP, QFP, PLCC, QFN ж.б.у.с.Бул жерде, негизинен, колдонуучунун колдонуу адаттары, колдонмо чөйрөсү, рынок форматы жана башка перифериялык факторлор менен аныкталат.

Сыноо, таңгактоо

Жогорудагы процесстен кийин чип өндүрүшү аяктады.Бул кадам чипти сынап, бузулган продукцияларды алып салуу жана аны таңгактоо болуп саналат.

Вафли менен чиптердин ортосундагы байланыш

Чип бир нече жарым өткөргүч түзүлүштөн турат.Жарым өткөргүчтөр көбүнчө диоддор, триоддор, талаа эффектиси түтүктөрү, кичине кубаттуулуктагы резисторлор, индукторлор, конденсаторлор ж.б.у.с.

Көптөгөн (электрондор) же аз (тешиктер) оң же терс зарядын пайда кылуу үчүн атом ядросунун физикалык касиеттерин өзгөртүү үчүн тегерек кудуктагы атом ядросундагы эркин электрондордун концентрациясын өзгөртүү үчүн техникалык каражаттарды колдонуу. ар кандай жарым өткөргүчтөрдү пайда кылат.

Кремний жана германий көбүнчө колдонулган жарым өткөргүч материалдар жана алардын касиеттери жана материалдары бул технологияларда колдонуу үчүн көп санда жана арзан баада жеткиликтүү.

Кремний пластинкасы көп сандагы жарым өткөргүч түзүлүштөрдөн турат.Жарым өткөргүчтүн милдети, албетте, талап кылынгандай схема түзүү жана кремний пластинасында бар болуу.